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文献
J-GLOBAL ID:200902193793714232   整理番号:99A0432951

InP基板上のGa1-xInxAs/GaAs1-ySbyタイプII超格子をベースとする発光ダイオードとレーザダイオード

Light-emitting diodes and laser diodes based on a Ga1-xInxAs/GaAs1-ySby type II superlattice on InP substrate.
著者 (7件):
PETER M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
KIEFER R
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
FUCHS F
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
HERRES N
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
WINKLER K
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
BACHEM K-H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
WAGNER J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 74  号: 14  ページ: 1951-1953  発行年: 1999年04月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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