文献
J-GLOBAL ID:200902193929494070
整理番号:00A0154702
けい素上の陽極処理したアルミニウムの自己秩序化した孔構造とパターン移動
Self-ordered pore structure of anodized aluminum on silicon and pattern transfer.
著者 (4件):
CROUSE D
(Cornell Univ., New York)
,
LO Y-H
(Cornell Univ., New York)
,
MILLER A E
(Univ. Notre Dame, Indiana)
,
CROUSE M
(Univ. Notre Dame, Indiana)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
1
ページ:
49-51
発行年:
2000年01月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)