文献
J-GLOBAL ID:200902194034719285
整理番号:96A1019031
高温におけるプレメタライゼーションアニールを用いたn型GaNへの非合金Ti/AlのOhm接触
Nonalloyed Ti/Al Ohmic contacts to n-type GaN using high-temperature premetallization anneal.
著者 (6件):
LESTER L F
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
BROWN J M
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
RAMER J C
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
ZHANG L
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
HERSEE S D
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
ZOLPER J C
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
69
号:
18
ページ:
2737-2739
発行年:
1996年10月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)