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著者 (6件)：
資料名：
巻： 44 号： 12 ページ： 2234-2241 発行年： 1997年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902194452140757
整理番号：98A0118537
ポリシリコン薄膜トランジスタ(ポリ-TFT)における浮遊基板効果
Floating Body Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors.
VALDINOCI M
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
,
COLALONGO L
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
,
BACCARANI G
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
,
FORTUNATO G
(IESS-CNR Inst., Rome, ITA)
,
PECORA A
(IESS-CNR Inst., Rome, ITA)
,
POLICICCHIO I
(IESS-CNR Inst., Rome, ITA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 44 号： 12 ページ： 2234-2241 発行年： 1997年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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