文献
J-GLOBAL ID:200902194850254711
整理番号:02A0809533
Snをドープした層状半導体n-InSeの光学及び電気特性
Optical and Electrical Properties of Layer Semiconductor n-InSe Doped with Sn.
著者 (2件):
SHIGETOMI S
(Kurume Univ., Fukuoka, JPN)
,
IKARI T
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
41
号:
9
ページ:
5565-5566
発行年:
2002年09月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)