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文献
J-GLOBAL ID:200902194999721835   整理番号:02A0673781

アニーリングによるSi(111)面上のGaN膜の作製と構造特性

Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (111) by annealing.
著者 (7件):
YANG Y-G
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
MA H-L
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
XUE C-S
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
ZHUANG H-Z
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
HAO X-T
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
MA J
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
TENG S-Y
(Shandong Univ., Jinan, CHN)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 193  号: 1/4  ページ: 254-260  発行年: 2002年06月05日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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