文献
J-GLOBAL ID:200902195492287447
整理番号:99A0506919
AlGaN/AlN中間層を有するSi基板上のGaN薄膜
GaN on Si Substrate with AlGaN/AlN Intermediate Layer.
著者 (6件):
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ZHAO G-Y
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
NAKADA N
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
38
号:
5A
ページ:
L492-L494
発行年:
1999年05月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)