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資料名：
巻： 78 号： 26 ページ： 4181-4183 発行年： 2001年06月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902195521905228
整理番号：01A0743525
導電性原子間力顕微鏡を利用して電気的ストレスを印加した極薄SiO2膜のナノスケール電気特性評価
Nanometer-scale electrical characterization of stressed ultrathin SiO2 films using conducting atomic force microscopy.
PORTI M
(Univ. Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
,
NAFRIA M
(Univ. Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
,
AYMERICH X
(Univ. Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
,
OLBRICH A
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
,
EBERSBERGER B
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 26 ページ： 4181-4183 発行年： 2001年06月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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