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著者 (4件)：
資料名：
巻： 35 号： 2B ページ： 1126-1131 発行年： 1996年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902195577137126
整理番号：96A0443759
非対称トンネル障壁を持つ単一電子デバイス
Single Electron Device with Asymmetric Tunnel Barriers.
MATSUMOTO Y
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
HANAJIRI T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
TOYABE T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
SUGANO T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 2B ページ： 1126-1131 発行年： 1996年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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