文献
J-GLOBAL ID:200902195681827428
整理番号:97A0252195
通常のサブミクロンプロセスで作製した薄い酸化層をもつ高分解能MOS磁場センサ
High-resolution MOS magnetic sensor with thin oxide in standard submicron CMOS process.
著者 (5件):
YANG H-M
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Y-C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEI T-F
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEE C-L
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHAO S-C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻:
57
号:
1
ページ:
9-13
発行年:
1996年10月
JST資料番号:
B0345C
ISSN:
0924-4247
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)