文献
J-GLOBAL ID:200902195902476412
整理番号:94A0723783
量子トンネルに基づくシリコン電界効果トランジスタ
Silicon field-effect transistor based on quantum tunneling.
著者 (3件):
TUCKER J R
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
WANG C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
CARNEY P S
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
65
号:
5
ページ:
618-620
発行年:
1994年08月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)