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著者 (5件)：
資料名：
巻： 209 号： 2/3 ページ： 526-531 発行年： 2000年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902196063077031
整理番号：00A0277130
Nitrogen-induced defects in ZnO: N grown on sapphire substrate by gas source MBE.
IWATA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
FONS P
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
YAMADA A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
MATSUBARA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
NIKI S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 209 号： 2/3 ページ： 526-531 発行年： 2000年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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