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資料名：
巻： 63 号： 9 ページ： 1214-1215 発行年： 1993年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902196112628561
整理番号：93A0811222
GaN-AlxGa1-xNヘテロ接合に基づく高電子移動度トランジスタ
High electron mobility transistor based on a GaN-AlxGa1-xN heterojunction.
KHAN M A
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
BHATTARAI A
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
KUZNIA J N
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
OLSON D T
(APA Optics Inc., Minnesota)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 9 ページ： 1214-1215 発行年： 1993年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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