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著者 (2件)：
資料名：
巻： 35 号： 3 ページ： 1681-1684 発行年： 1996年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902196170002591
整理番号：96A0418016
H2Sガス中の反応性スパッタリングにより作製した前駆体の硫化によるCuInS2薄膜をもとにした太陽電池
Solar Cells Based on CuInS2 Thin Films through Sulfurization of Precursors Prepared by Reactive Sputtering with H2S Gas.
WATANABE T
(Asahi Chemical Ind. Co., Ltd., Shizuoka, JPN)
,
MATSUI M
(Asahi Chemical Ind. Co., Ltd., Shizuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 3 ページ： 1681-1684 発行年： 1996年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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