文献
J-GLOBAL ID:200902196298928748
整理番号:99A0812004
単一電子トランジスタのノイズの利得依存性
Gain dependence of the noise in the single electron transistor.
著者 (5件):
STARMARK B
(Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE)
,
HENNING T
(Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE)
,
CLAESON T
(Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE)
,
DELSING P
(Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE)
,
KOROTKOV A N
(Moscow State Univ., RUS)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
86
号:
4
ページ:
2132-2136
発行年:
1999年08月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)