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著者 (6件)：
資料名：
巻： 233 号： 1/2 ページ： 177-186 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902196548328962
整理番号：01A0914453
昇華サンドイッチ法で成長させたAlNの核形成に及ぼすバッファ層および6H-SiC基板極性の影響
Influence of buffer layer and 6H-SiC substrate polarity on the nucleation of AlN grown by the sublimation sandwich technique.
SHI Y
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
XIE Z Y
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
LIU L H
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
LIU B
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
EDGAR J H
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
KUBALL M
(Univ. Bristol, GBR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 233 号： 1/2 ページ： 177-186 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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