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資料名：
巻： 65 号： 13 ページ： 1668-1670 発行年： 1994年09月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902196844508739
整理番号：94A0872088
イオン注入した4H,6H,15R,3C SiCにおける2~525Kで強いエルビウム1.54μm光ルミネセンス
Intense erbium-1.54-μm photoluminescence from 2 to 525K in ion-implanted 4H, 6H, 15R, and 3C SiC.
CHOYKE W J
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
DEVATY R P
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
CLEMEN L L
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
YOGANATHAN M
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
HAESSLER C
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 65 号： 13 ページ： 1668-1670 発行年： 1994年09月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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