文献
J-GLOBAL ID:200902196984801169
整理番号:00A0779664
中性子を照射した炭化けい素において生成じた欠陥の生成効率の照射温度依存性
Irradiation temperature dependence of production efficiency of defects induced in neutron-irradiated silicon carbides.
著者 (6件):
OKADA M
(Kyoto Univ., Osaka, JPN)
,
ATOBE K
(Naruto Univ. Education, Tokushima, JPN)
,
NAKAGAWA M
(Kagawa Univ., Kagawa, JPN)
,
KANAZAWA S
(Kyoto Univ., Osaka, JPN)
,
KANNO I
(Kyoto Univ., Osaka, JPN)
,
KIMURA I
(Kyoto Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
166/167
ページ:
399-403
発行年:
2000年05月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)