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著者 (8件)：
資料名：
巻： 40 号： 1A/B ページ： L16-L19 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902197198072770
整理番号：01A0486790
周期的な溝を持つ基板上のGaNのヘテロエピタキシャル横方向被覆成長 転位密度が低いGaN単結晶を成長させる新しい方法
Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystals.
DETCHPROHM T
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
YANO M
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
SANO S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKAMURA R
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
MOCHIDUKI S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKAMURA T
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 1A/B ページ： L16-L19 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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