文献
J-GLOBAL ID:200902197720042479
整理番号:97A0529539
動的なしきい値電圧制御に適したSOIASバックゲートCMOS
Back-Gated CMOS on SOIAS For Dynamic Threshold Voltage Control.
著者 (4件):
YANG I Y
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
VIERI C
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
CHANDRAKASAN A
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
ANTONIADIS D A
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
44
号:
5
ページ:
822-831
発行年:
1997年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)