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著者 (9件)：
資料名：
巻： 22 号： 10 ページ： 457-459 発行年： 2001年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902198426264249
整理番号：02A0141550
AlGaN/AlN/GaN高パワーマイクロ波HEMT
AlGaN/AlN/GaN High-Power Microwave HEMT.
SHEN L
(Univ. California, CA, USA)
,
HEIKMAN S
(Univ. California, CA, USA)
,
MORAN B
(Univ. California, CA, USA)
,
COFFIE R
(Univ. California, CA, USA)
,
ZHANG N-Q
(Univ. California, CA, USA)
,
BUTTARI D
(Univ. California, CA, USA)
,
SMORCHKOVA I P
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 10 ページ： 457-459 発行年： 2001年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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