文献
J-GLOBAL ID:200902198456197325
整理番号:02A0219597
MBE成長した短周期(Sim/Gen)N超格子(SSL)とそれが均一Si0.75Ge0.25/(SSL)/Si(001)系の成長に及ぼす影響
MBE grown short-period (Sim/Gen)N superlattices (SSLs) and its effect on the growth of uniform Si0.75Ge0.25/(SSLs)/Si(001) systems.
著者 (5件):
RAHMAN M M
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
KURUMATANI K
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
MATADA H
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
TAMBO T
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
TATSUYAMA C
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名:
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻:
B89
号:
1/3
ページ:
252-256
発行年:
2002年02月14日
JST資料番号:
T0553A
ISSN:
0921-5107
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)