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資料名：
巻： 40 号： 3B ページ： L252-L254 発行年： 2001年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902198783846663
整理番号：01A0486864
へき開エッジエピタキシャル被覆成長の間の成長中断アニーリングによる平坦単分子層無階段(110)GaAs表面の形成
Formation of Flat Monolayer-Step-Free (110) GaAs Surfaces by Growth Interruption Annealing during Cleaved-Edge Epitaxial Overgrowth.
YOSHITA M
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
AKIYAMA H
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
PFEIFFER L N
(Bell Lab., New Jersey, USA)
,
WEST K W
(Bell Lab., New Jersey, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 3B ページ： L252-L254 発行年： 2001年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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