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資料名：
巻： 16 号： 6 ページ： 220-222 発行年： 1995年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902198866247753
整理番号：95A0601913
プラズマ増強したTEOS蒸着の帯電損傷
Charging Damage from Plasma Enhanced TEOS Deposition.
CHEUNG K P
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
PAI C-S
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 16 号： 6 ページ： 220-222 発行年： 1995年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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