文献
J-GLOBAL ID:200902199087404695
整理番号:96A1019022
低圧有機金属化学蒸着によって成長させたAlGaAsのV形溝垂直量子井戸の構造と形成機構
Structure and formation mechanisms of AlGaAs V-groove vertical quantum wells grown by low pressure organometallic chemical vapor deposition.
著者 (5件):
BIASIOL G
(<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
REINHARDT F
(<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
GUSTAFSSON A
(<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
MARTINET E
(<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
KAPON E
(<span style=text-decoration:overline>E ́</span>cole Polytechnique F<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
69
号:
18
ページ:
2710-2712
発行年:
1996年10月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)