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著者 (3件)：
資料名：
巻： 43 号： 8 ページ： 1315-1317 発行年： 1996年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902199317224047
整理番号：96A0857743
4H-炭化けい素のためのプレーナエッジ終端
Planar Edge Termination for 4H-Silicon Carbide Devices.
ALOK D
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
RAGHUNATHAN R
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43 号： 8 ページ： 1315-1317 発行年： 1996年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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