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著者 (3件)：
資料名：
巻： 36 号： 6B ページ： 4057-4060 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902199458274471
整理番号：97A0775356
SiO2/半導体表面上での原子間力顕微鏡ナノリソグラフィー
Atomic Force Microscope Nanolithography on SiO2/Semiconductor Surfaces.
AVRAMESCU A
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
UESUGI K
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
SUEMUNE I
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 6B ページ： 4057-4060 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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