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資料名：
巻： 41 号： 8B ページ： L949-L951 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902199668010744
整理番号：02A0698135
高濃度BドープしたSiGe薄膜の熱アニーリングによる異常に大きい熱起電力
Anomalous Large Thermoelectric Power on Heavily B-Doped SiGe Thin Films with Thermal Annealing.
KAWAHARA T
(National Defense Acad., Yokosuka, JPN)
,
LEE S M
(National Defense Acad., Yokosuka, JPN)
,
OKAMOTO Y
(National Defense Acad., Yokosuka, JPN)
,
MORIMOTO J
(National Defense Acad., Yokosuka, JPN)
,
SASAKI K
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
HATA T
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 8B ページ： L949-L951 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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