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著者 (5件)：
資料名：
巻： 39 号： 9 ページ： 1289-1294 発行年： 1996年09月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902199681781130
整理番号：96A0820548
p-GaN,n-InN及びn-InGaNにおける電子輸送
Electrical transport in p-GaN, n-InN and n-InGaN.
GEERTS W
(Univ. Florida, FL, USA)
,
MACKENZIE J D
(Univ. Florida, FL, USA)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, FL, USA)
,
SCHMIEDEL T
(National High Magnetic Field Lab., FL, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 39 号： 9 ページ： 1289-1294 発行年： 1996年09月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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