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資料名：
巻： 94 号： 6 ページ： 061117 発行年： 2009年02月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902200253055198
整理番号：09A0165071
垂直型AlGaN系深紫外発光ダイオード用のレーザリフトオフにおけるAlN/AlGaN短周期超格子犠牲層
AlN/AlGaN short-period superlattice sacrificial layers in laser lift-off for vertical-type AlGaN-based deep ultraviolet light emitting diodes
TAKEUCHI Misaichi
(Nanoscience Dev. and Support Team, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN)
,
MAEGAWA Tomohiro
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
SHIMIZU Hiroshi
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
OOISHI Shin
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
OHTSUKA Takumi
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(Ritsumeikan Global Innovation Res. Organization, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 6 ページ： 061117 発行年： 2009年02月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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