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資料名：
巻： 85 号： 25 ページ： 6182-6184 発行年： 2004年12月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902200485447327
整理番号：05A0060809
熱酸化物の信頼性におよぼすn型4H-SiCエピタキシャルウエハの品質の効果
Effects of n-type 4H-SiC epitaxial wafer quality on reliability of thermal oxides
SENZAKI J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 25 ページ： 6182-6184 発行年： 2004年12月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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