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J-GLOBAL ID：200902201363628548 整理番号：07A0515045

場変調板を有するGaNベース電界効果トランジスタに関する断面電場の観測

Observation of cross-sectional electric field for GaN-based field effect transistor with field-modulating plate

著者 (8件)：

WAKEJIMA Akio

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)

,

OTA Kazuki

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)

,

NAKAYAMA Tatsuo

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)

,

ANDO Yuji

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)

,

OKAMOTO Yasuhiro

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)

,

MIYAMOTO Hironobu

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)

,

KAMIYA Shinichi

(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577 ...)

,

SUZUKI Akira

(Res. Organization of Sci. and Engineering, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 90 号： 21 ページ： 213504-213504-3 発行年： 2007年05月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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