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J-GLOBAL ID:200902202015447757   整理番号:03A0197088

NdをドープしたBi4Ti3O12膜の電気特性 無鉛薄膜圧電体の候補

Electromechanical properties of Nd-doped Bi4Ti3O12 films: A candidate for lead-free thin-film piezoelectrics.
著者 (7件):
MAIWA H
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
IIZAWA N
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
TOGAWA D
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
HAYASHI T
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
SAKAMOTO W
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
YAMADA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HIRANO S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 82  号: 11  ページ: 1760-1762  発行年: 2003年03月17日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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