文献
J-GLOBAL ID:200902202195803122
整理番号:07A0739486
低熱抵抗と高信頼性を持つ完全鉛フリーIGBTモジュール構造の検討
Investigations of all lead free IGBT module structure with low thermal resistance and high reliability
著者 (4件):
NISHIMURA Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
MOROZUMI A.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
MOCHIZUKI E.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
TAKAHASHI Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
18th
ページ:
249-252
発行年:
2006年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)