文献
J-GLOBAL ID:200902202777131137
整理番号:08A0557560
TiO2ベ-スの抵抗メモリ素子のGdドーピングによる抵抗スイッチング特性の改善
Gd Doping Improved Resistive Switching Characteristics of TiO2-Based Resistive Memory Devices
著者 (10件):
LIU Li-Feng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
KANG Jin-Feng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
XU Nuo
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
SUN Xiao
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
CHEN Chen
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
SUN Bing
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Yi
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LIU Xiao-Yan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Xing
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HAN Ru-Qi
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
47
号:
4 Issue 2
ページ:
2701-2703
発行年:
2008年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)