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文献
J-GLOBAL ID:200902202917884890   整理番号:05A0494579

金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの性能を改善するためのHfO2-金属-絶縁体-半導体構造におけるオキシナイトライドバッファー層に関する研究

Study on Oxynitride Buffer Layers in HfO2 Metal-Insulator-Semiconductor Structures for Improving Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Performance
著者 (9件):
OTA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
YASUDA Naoki
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
YASUDA Tetsuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MORITA Yukinori
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MIYATA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
TOMINAGA Koji
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
KADOSHIMA Masaru
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
MIGITA Shinji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
NABATAME Toshihide
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 44  号: 4A  ページ: 1698-1703  発行年: 2005年04月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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