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著者 (4件)：
資料名：
巻： 47 号： 1 Issue 1 ページ： 47-50 発行年： 2008年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902203038954407
整理番号：08A0557342
SiをドープしたAlGaN/AlGaN量子井戸からの低温における励起密度に依存する光ルミネセンス
Excitation-Density Dependence of Photoluminescence from Si-Doped AlGaN/AlGaN Multiple Quantum Wells at Low Temperature
KAJITANI Ryo
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TAKEUCHI Misaichi
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(RIKEN, Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 1 Issue 1 ページ： 47-50 発行年： 2008年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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