文献
J-GLOBAL ID:200902203110923520
整理番号:09A0769284
N,N’-ビス(n-ペンチル)テリレン-3,4:11,12-テトラカルボキシジイミド薄膜トランジスタの可変温度特性
Variable temperature characterization of N,N′-Bis(n-pentyl)terrylene-3,4:11,12-tetracarboxylic diimide thin film transistor
著者 (6件):
PETIT Matthieu
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
HAYAKAWA Ryoma
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
CHIKYOW Toyohiro
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
HILL Jonathan P.
(World Premier International (WPI) Res. Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba ...)
,
ARIGA Katsuhiko
(World Premier International (WPI) Res. Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba ...)
,
WAKAYAMA Yutaka
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名:
Organic Electronics
(Organic Electronics)
巻:
10
号:
6
ページ:
1187-1190
発行年:
2009年09月
JST資料番号:
W1352A
ISSN:
1566-1199
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)