文献
J-GLOBAL ID:200902203304724765
整理番号:04A0032961
半導体における遠赤外共鳴Faraday効果
Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors
著者 (5件):
SUZUKI M
(Osaka Univ., Osaka)
,
FUJII K
(Osaka Univ., Osaka)
,
OHYAMA T
(Osaka Univ., Osaka)
,
KOBORI H
(Konan Univ., Kobe)
,
KOTERA N
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka)
資料名:
Journal of the Physical Society of Japan
(Journal of the Physical Society of Japan)
巻:
72
号:
12
ページ:
3276-3285
発行年:
2003年12月15日
JST資料番号:
G0509A
ISSN:
0031-9015
CODEN:
JUPSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)