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J-GLOBAL ID：200902203403810592 整理番号：09A0248322

二段階堆積とポストアニーリング技術の組み合わせで製膜したCuScO₂エピタキシャル膜の光学的電気的特性

Optical and electrical properties of CuScO₂ epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques

著者 (7件)：

KAKEHI Yoshiharu

(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN)

SATOH Kazuo

(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN)

YOTSUYA Tsutom

(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN)

MASUKO Keiichiro

(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)

YOSHIMURA Takeshi

(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)

ASHIDA Atsushi

(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)

FUJIMURA Norifumi

(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 311 号： 4 ページ： 1117-1122 発行年： 2009年02月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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二段階堆積とポストアニーリング技術の組み合わせで製膜したCuScO2エピタキシャル膜の光学的電気的特性

二段階堆積とポストアニーリング技術の組み合わせで製膜したCuScO₂エピタキシャル膜の光学的電気的特性