文献
J-GLOBAL ID:200902203839758030
整理番号:09A0713395
オゾン支援スパッタリングで作製した正方晶ZrO2ゲート誘電体の誘電性の向上
Improved Dielectric Properties of Tetragonal ZrO2 Gate Dielectric Fabricated by Ozone-Assisted Sputtering
著者 (4件):
ZHOU Ying
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
INOSAKA Naoya
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SASAKI Kimihiro
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KUMEDA Minoru
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
48
号:
6,Issue 1
ページ:
060208.1-060208.3
発行年:
2009年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)