文献
J-GLOBAL ID:200902204027514436
整理番号:09A1035473
ポリアニリン/n-GaN Schottkyダイオードの光起電力動作
Photovoltaic Action in Polyaniline/n-GaN Schottky Diodes
著者 (5件):
MATSUKI Nobuyuki
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
IROKAWA Yoshihiro
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
MATSUI Takuya
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KONDO Michio
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUMIYA Masatomo
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
2
号:
9
ページ:
092201.1-092201.3
発行年:
2009年09月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)