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著者 (3件)：
資料名：
巻： 14 号： 3 ページ： 149-156 発行年： 2003年03月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902204228939583
整理番号：03A0277681
第一原理擬ポテンシャル法により計算したドープZnSおよびZnOの電子構造の比較
Comparison of electronic structures of doped ZnS and ZnO calculated by a first-principle pseudopotential method.
IMAI Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
WATANABE A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SHIMONO I
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 14 号： 3 ページ： 149-156 発行年： 2003年03月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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