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著者 (2件)：
資料名：
巻： 35 号： 6 ページ： 451-456 発行年： 2003年09月
JST資料番号： D0245B ISSN： 0030-3992 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902204574342771
整理番号：03A0442749
3C-SiC膜のArF-エキシマレーザアニーリング ダイオード特性と数値シミュレーション
ArF-excimer-laser annealing of 3C-SiC films-diode characteristics and numerical simulation
MIZUNAMI T
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
TOYAMA N
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名：
Optics & Laser Technology
(Optics & Laser Technology)
巻： 35 号： 6 ページ： 451-456 発行年： 2003年09月
JST資料番号： D0245B ISSN： 0030-3992 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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