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著者 (8件)：
資料名：
巻： 89 号： 7 ページ： 071109-071109-3 発行年： 2006年08月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902204576662226
整理番号：06A0630868
高性能薄膜フリップチップInGaN-GaN発光ダイオード
High performance thin-film flip-chip InGaN-GaN light-emitting diodes
SHCHEKIN O. B.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
EPLER J. E.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
TROTTIER T. A.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
MARGALITH T.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
STEIGERWALD D. A.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
HOLCOMB M. O.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
MARTIN P. S.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
,
KRAMES M. R.
(Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Road, San Jose, California 95131)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 7 ページ： 071109-071109-3 発行年： 2006年08月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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