文献
J-GLOBAL ID:200902204883557936
整理番号:08A0818607
相変化メモリーセル上でのピコ秒電気パルスによって誘発された高速相転移
Fast phase transitions induced by picosecond electrical pulses on phase change memory cells
著者 (7件):
WANG W. J.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
SHI L. P.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
ZHAO R.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
LIM K. G.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
LEE H. K.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
CHONG T. C.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
WU Y. H.
(Electrical Computer Engineering Dep., National Univ. of Singapore, Singapore 117576, SGP)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
93
号:
4
ページ:
043121
発行年:
2008年07月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)