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J-GLOBAL ID:200902204883557936   整理番号:08A0818607

相変化メモリーセル上でのピコ秒電気パルスによって誘発された高速相転移

Fast phase transitions induced by picosecond electrical pulses on phase change memory cells
著者 (7件):
WANG W. J.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
SHI L. P.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
ZHAO R.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
LIM K. G.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
LEE H. K.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
CHONG T. C.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
WU Y. H.
(Electrical Computer Engineering Dep., National Univ. of Singapore, Singapore 117576, SGP)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 93  号:ページ: 043121  発行年: 2008年07月28日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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