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著者 (5件)：
資料名：
巻： 92 号： 8 ページ： 082506 発行年： 2008年02月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902204904484560
整理番号：08A0231880
(Ga,Mn)Asベース二重障壁磁気トンネル接合における非常に低いしきい電流密度の電流駆動磁化反転
Current-driven magnetization reversal at extremely low threshold current density in (Ga,Mn)As-based double-barrier magnetic tunnel junctions
WATANABE Maya
(Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
,
OKABAYASHI Jun
(Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
,
TOYAO Hiroshi
(Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
,
YAMAGUCHI Takeshi
(Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
,
YOSHINO Junji
(Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 8 ページ： 082506 発行年： 2008年02月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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