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資料名：
巻： 82 号： 21 ページ： 3644-3646 発行年： 2003年05月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902205020350264
整理番号：03A0400789
複合InAlAsおよびGaAs歪バッファ層による1.3μm InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性のチューニング
Tuning the structural and optical properties of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dots by a combined InAlAs and GaAs strained buffer layer
LIU H Y
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
HOPKINSON M
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 21 ページ： 3644-3646 発行年： 2003年05月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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