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著者 (9件)：
資料名：
巻： 92 号： 14 ページ： 142911 発行年： 2008年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902205134550387
整理番号：08A0383336
Ru/HfOx/TiN単極抵抗メモリにおける不安定な陽極界面の電気的証拠
Electrical evidence of unstable anodic interface in Ru/HfOx/TiN unipolar resistive memory
LEE Heng Yuan
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
CHEN Pang Shiu
(MingShin Univ. of Sci. and Technol., Hsinchu 304, Taiwan)
,
WU Tai Yuan
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
WANG Ching Chiun
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
TZENG Pei Jer
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
LIN Cha Hsin
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
CHEN Frederick
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
TSAI Ming-jinn
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan)
,
LIEN Chenhsin
(Inst. of Electronics Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 14 ページ： 142911 発行年： 2008年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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