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資料名：
巻： 45 号： 12 ページ： 9129-9136 発行年： 2006年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902205357375323
整理番号：07A0078105
窒素分子およびイオンビームを用いた炭酸バリウム電子ビーム蒸着によりシリコンウエハ上に蒸着した炭化バリウムと硝酸バリウムとの混合薄膜に関する誘電定数
Dielectric Constants on Mixture Thin Films of Barium Carbide and Barium Nitrate Deposited on Silicon Wafers by Barium Carbonate Electron Beam Evaporation Using Nitrogen Molecular and Ion Beams
YOKOTA Katsuhiro
(Kansai Univ., Osaka, JPN)
,
TERAMOTO Yuuki
(Kansai Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 12 ページ： 9129-9136 発行年： 2006年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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